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IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块在汽车电控系统中发挥着关键作用。在电驱系统中,当驾驶新能源汽车时,电机控制器将动力电池放出的直流电(DC)转变为交流电(AC),这个过程被称为逆变,从而让驱动电机工作,电机将电能转化为机械能,再通过传动系统让汽车轮子转动。IGBT模块是逆变器的核心部件,其工作原理如下: 通过半导体非通即断的特性,不考虑过渡过程和寄生效应,将单个IGBT芯片视作理想开关。在模块内部构建若干个IGBT芯片单元的并串联结构,当直流电通过模块时,通过不同开关组合的快速开断,改变电流的流出方向和频率,从而输出期望的交流电。
IGBT模块的标准封装形式通常是一个扁平的类长方体,最外面是塑料外壳,底部是导热散热的金属底板(一般为铜材料)。模块外部有众多端子和引脚,各自具有特定作用。
IGBT模块的生产流程具有很高的技术和工艺要求,大致包括:贴片→真空回流焊接→超声波清洗→X-ray缺陷检测→引线键合→静态测试→二次焊接→壳体灌胶与固化→端子成形→功能测试(动态测试、绝缘测试、反偏测试)。在贴片环节,首先将IGBT wafer上的每一个die贴片到DBC(覆铜陶瓷基板)上,DBC中间是陶瓷,双面覆铜,起到导电和电气隔离作用,常用陶瓷绝缘材料为氧化铝(Al2O3)和氮化铝(AlN)。真空焊接时,贴片后通过真空焊接将die与DBC固定,一般焊料是锡片或锡膏。X-ray空洞检测用于检测焊接过程中出现的气泡情况,即空洞,空洞存在会严重影响器件的热阻和散热效率,导致过温、烧坏、爆炸等问题,一般汽车IGBT模块要求空洞率低于1%。接下来是wirebonding工艺,用金属线将die和DBC键合,使用最多的是铝线,其他常用的包括铜线、铜带、铝带。中间会有一系列的外观检测、静态测试,过程中有问题的模块直接报废。重复以上工序将DBC焊接和键合到铜底板上,然后是灌胶、封壳、激光打码等工序。出厂前会做最后的功能测试,包括电气性能的动态测试、绝缘测试、反偏测试等。
汽车电控IGBT模块在新能源汽车领域有着广泛的应用,主要包括以下几个方面:
电动控制系统:用于大功率直流/交流(DC/AC)逆变后驱动汽车电机。
车载空调控制系统:实现小功率直流/交流(DC/AC)逆变,使用电流较小的IGBT和FRD。
充电桩:在智能充电桩中作为开关元件使用。
IGBT模块凭借出色的开关特性、耐高温性、轻量化和极具成本效益等特色,成为各个产业的热门选择,包括汽车、工业和可再生能源。在车辆中,IGBT模块主要作为电气开关使用,能够将直流电(DC)转换成交流电(AC),反之亦然。如电动汽车和混合动力汽车,可用车载逆变器系统来控制电动马达,其优势在于改善开关速度、散热稳定、重量轻巧和成本可控。此外,IGBT模块在智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端均有应用,在轨道交通的交流传动系统中,IGBT也是牵引变流器最核心的器件之一。
目前,汽车电控IGBT模块的主要品牌包括:
国外品牌:英飞凌、富士、三菱、西门康等。
国内品牌:
嘉兴斯达半导体股份有限公司:自2005年成立以来,专注于IGBT芯片和模块的研发、生产与销售服务,成功研发出全系列IGBT芯片、FRD芯片及IGBT模块,在新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域得到广泛应用。
江苏宏微科技股份有限公司:长期从事电力电子产品研发和生产,专注于设计、研发、生产和销售功率半导体芯片、单管和模块,为国家IGBT和FRED标准起草单位提供支持。
南京银茂微电子制造有限公司:专注于工业和其他应用的功率IGBT和MOSFET模块产品的设计和制造,2016年通过TS16949认证之后,进入新能源汽车级IGBT/SIC功率模块生产制造领域,产品广泛用于工业变频、新能源、电源装备、公共交通、航空航天和国防领域等多个领域。
比亚迪半导体有限公司:国内领先的半导体企业,产品涵盖MOSFET、IGBT、IPM、SiC功率器件等多个领域,基于高密度TrenchFS的IGBT5.0技术已实现量产,正在积极布局新一代IGBT技术,是国内少数能够实现车规级IGBT量产装车的IDM厂商。
上汽英飞凌汽车功率半导体(上海)有限公司:由上汽集团和英飞凌共同出资成立的合资企业,从事车规级IGBT功率模块的生产、销售、本土化的应用服务与开发支持,工厂全方位引进了德国英飞凌的先进设备、生产工艺与质量保证体系,建立了国内第一家具备国际领先水平的车规级全自动IGBT模块封装测试产线和高度集成的生产制造系统。
近年来,中国新能源汽车产量增长迅速,IGBT作为新能源汽车核心零部件,其需求量也不断提升。IGBT分为低压、中压和高压,应用场景广泛,适用于各类需要交流电和直流电转换及高低电压转换的应用场景。在新能源汽车取代燃油汽车的趋势下,IGBT作为其核心零部件,需求量也将得到提升。
然而,IGBT市场长期被大型国外跨国企业垄断,近年来国内厂商逐渐发力。在国内新能源汽车IGBT模块市场中,英飞凌公司占据较大市场份额,中车时代电气等国内企业的市场份额也在逐渐攀升。随着市场的发展和国家政策的推动,中国IGBT行业取得了一定的技术进步,国产化趋势明显,预计未来市场规模将继续扩大。
在对IGBT模块进行检测和维修时,需要注意以下方面:
极性判断:将万用表拨在R×1KΩ挡,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则此极为栅极(G)。其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,红表笔接的为集电极(C),黑表笔接的为发射极(E)。
好坏判断:将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT的集电极(C),红表笔接IGBT的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置,即可判断IGBT是好的。
IGBT模块可能出现多种故障,常见的故障原因及处理方式如下:
过电流损坏:
锁定效应:IGBT为复合器件,其内有一个寄生晶闸管,当漏极电流大到一定程度时,会发生锁定效应,导致集电极电流过大,造成器件损坏。
长时间过流运行:IGBT模块长时间过流运行是指其运行指标达到或超出RBSOA(反偏安全工作区)所限定的电流安全边界,如选型失误、安全系数偏小等,电路必须能在电流到达RBSOA限定边界前立即关断器件,以保护器件。
短路超时(10us):如果此时IGBT所承受的最大电压也超过器件标称值,IGBT必须在更短的时间内被关断。
过电压损坏和静电损坏:IGBT在关断时,由于逆变电路中存在电感成分,关断瞬间产生尖峰电压,如果尖峰电压超过IGBT器件的最高峰值电压,将造成IGBT击穿损坏。多数情况下,可采用电压钳位,在集电极-栅极两端并接齐纳二极管,采用栅极电压动态控制,避免IGBT因受集电极发射极过电压而损坏。
过热损坏:过热损坏一般指使用中IGBT模块的结温超过晶片的最大温度限定,目前应用的IGBT器件还是以Tjmax=150°C的NPT技术为主流,在IGBT模块应用中其结温应限制在该值以下。
G-E间开放状态下外加主电路电压:在门极一发射极问开放的状态下外加主电路电压,会使IGBT自动导通,通过过大的电流,使器件损坏。为防止这种损坏,必须先将主电路(C-E间)的电压放电至0V,再进行门极信号的切换。
机械应力对产品的破坏:IGBT器件的端子如果受到强外力或振动,就会产生应力,可能导致损坏IGBT器件内部电气配线等情况,在实际安装时应避免发生类似的应力。
IGBT芯片封装清洗剂选择:
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
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