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SiC模块的特征与电路构成介绍

碳化硅功率模块是使用碳化硅半导体作为开关的功率模块。 

碳化硅功率模块用于转换电能,转换效率高 — 功率是指电流和电压的乘积。碳化硅半导体带隙宽,用于 MOSFET 中时,开关损耗极低,因此相较于普通的硅器件,可允许更高的开关频率。同时,与传统的硅半导体相比,碳化硅半导体能够在更高的温度和更高的电压下工作。

1. SiC模块的特征

大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。

由IGBT的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗,通过改用SiC功率模块可以明显减少,因此具有以下效果:

  1. 开关损耗的降低,可以带来电源效率的改善和散热部件的简化
    (例:散热片的小型化,水冷/强制风冷的自然风冷化)

  2. 工作频率的高频化,使周边器件小型化
    (例:电抗器或电容等的小型化)

主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。

2. 电路构成

现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型的模块。


分为由SiC MOSFET + SiC SBD构成的类型和只由SiC MOSFET构成的类型两种,可根据用途进行选择。


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SiC模块功率半导体器件清洗:

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以上便是功率器件的材料的演进与功率器件电子芯片清洗介绍介绍,希望可以帮到您!


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