碳化硅功率模块是使用碳化硅半导体作为开关的功率模块。 

碳化硅功率模块用于转换电能，转换效率高 — 功率是指电流和电压的乘积。碳化硅半导体带隙宽，用于 MOSFET 中时，开关损耗极低，因此相较于普通的硅器件，可允许更高的开关频率。同时，与传统的硅半导体相比，碳化硅半导体能够在更高的温度和更高的电压下工作。

大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。

由IGBT的尾电流和FRD的恢复电流引起的较大的开关损耗，通过改用SiC功率模块可以明显减少，因此具有以下效果：

1. 开关损耗的降低，可以带来电源效率的改善和散热部件的简化
   （例：散热片的小型化，水冷/强制风冷的自然风冷化）

2. 工作频率的高频化，使周边器件小型化
   （例：电抗器或电容等的小型化）

主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。

现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型的模块。

分为由SiC MOSFET + SiC SBD构成的类型和只由SiC MOSFET构成的类型两种，可根据用途进行选择。

SiC模块功率半导体器件清洗：

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