超声波清洗在硅片清洗中的作用

硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有着惊人的运算能力。无论多么复杂的数学问题、物理问题和工程问题，也无论计算的工作量有多大，工作人员只要通过计算机键盘把问题告诉它，并下达解题的思路和指令，计算机就能在极短的时间内把答案告诉你。这样，那些人工计算需要花费数年、数十年时间的问题，计算机可能只需要几分钟就可以解决。甚至有些人力无法计算出结果的问题，计算机也能很快告诉你答案。

下面合明科技小编给大家分享一下阿超声波清洗在硅片清洗中的作用，希望能对您有所帮助！

超声波在清洗中的作用：

为什么超声清洗方法能够达到较好的清洗效果呢？对于超声的化学作用机理虽还不大清楚，但有些看法可供参考，例如超声波的空化现象，温度上升促进化学反应理论等。下面列表总结超声波清洗技术的优缺点：

超声波清洗的原理: (这里小编做一个流程图帮助大家理解)

硅片的清洗：

在半导体器件生产中，需要去除油污、石蜡、松香等有机杂质，一般使用水基清洗剂化学力结合超声波清洗的物理力来进行清洗，下面小编以硅片清洗来举例：

1、外延工序中硅片的清洗

该工序的清洗分为两种，第一类是硅单晶，第二类是集成电路。

在硅平面晶体管制造工艺中，硅单晶通过切、磨、抛之后就是外延工序，硅单晶在经历过初步的打磨抛光后，表面大多是一些松香及无机物。

其清洗步骤一般为：无水乙醇超声两次，每次5min→（根据工作需求可在该步骤前加甲苯、丙酮超声）→热去离子水，冲洗多次→王水、硫酸各煮沸两次→大量冷、热去离子水冲洗→红外灯烘干→放置于干燥器内备用。

但对集成电路来说，切、磨、抛之后经过埋层扩散，表面有机沾污较少，故可不用有机溶剂清洗，有的用洗液超声，去离子水超声、浓硫酸超声再用水超声、 去离子水煮沸、最后用去离子水冲洗即可。

2、氧化工序中的硅片清洗

氧化前的硅片清洗是个关键，特别是硼扩散前的一次氧化更为重要。因为氧化膜是器件有源区的一个主要部分，管子和电路都要靠这一氧化层来掩蔽和绝缘，若被沾污将影响整个器件的性能。

氧化分为一次氧化和几次扩散前的氧化，一次氧化前的清洗要求较高，需要考虑有机杂质，而之后氧化则无需考虑，下面以一次氧化前的清洗为例：

其清洗步骤一般为:用蘸有丙酮的脱脂棉与无水乙醇棉擦拭硅片表面(先反后正)→丙酮、乙醇超声各一次（每次时间不超过5min不少于3min）每次3-5分钟→去离子水冲洗→用浓硫酸煮至冒白烟为止→用王水煮→用大量冷、热去离子水冲洗→将硅片放在石英舟中在红外灯下用干燥纯净的氮气吹干→放入清洗干净密封的容器内备用。

3、硼、磷扩散工序中的硅片清洗

硼、磷扩散前硅片的清洗主要是为了清除硅片表面的光刻胶，以及各种溶剂引入的一些杂质。

清洗步骤为:用浓硫酸煮沸至冒白烟(加入少量浓硝酸，防止暴沸)→用大量冷、热去离子水冲洗→将硅片在稀氢氟酸(HF:H2O=1:9)中漂洗→用王水煮沸→用冷、热去离子水冲洗→用稀氢氟酸漂洗→用大量冷、热去离子水冲洗→在红外灯下用干燥纯净的氮气吹干→放入清洁干燥密封的容器中备用。

以上是关于超声波清洗在硅片清洗中作用的相关知识介绍了，希望能对您有所帮助！

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