2022 年，三大内存厂商（三星、SK 海力士和美光）均已大量出货 1 α DRAM。虽然 SK 海力士和三星已经采用 EUV 光刻技术进行 DRAM 制造，但美光最终将从 1 γ 节点开始使用它 。

在3D NAND业务中，所有领先公司都推出了3D NAND技术，这些技术依赖于优化逻辑电路面积和位置的特定策略，例如CMOS阵列下（CUA）和晶圆到晶圆键合解决方案， YMTC 的Xtacking  。如今，所有内存 制造商都在进行混合键合的研发，主要的 NAND 供应商已将其纳入其路线图：Kioxia 和西部数据已宣布将其用于 其 218L 3D NAND 系列，美光于 2022 年与 Adeia 签订了许可协议， SK hynix 宣布混合键合将于 2025 年进入量产。混合键合尚未在当前 HBM 代中使用，但未来几年将需要它 继续提高内存带宽和功效，并最小化 HBM 堆栈厚度。我们预测， HBM 制造商将从 HBM3+一代开始采用混合键合，每个堆栈具有 16 个 DRAM 芯片。所有主要 DRAM 制造商都在研究单片 3D DRAM，将其作为长期 DRAM 扩展的潜在解决方案，并已纳入 主要设备供应商的路线图中。我们相信 3D DRAM 一定会出现，但不会在未来五年内出现 。

过去几个季度，内存市场面临着过去 15 年来最严重的低迷。自 2021 年第三季度以来， DRAM 和 NAND 价格分别下降了 57% 和 55%。最严重的下跌始于 2022 年第二季度的最后几周，当时需求方发展的完美风暴（全球冲突、高通胀、中国新冠疫情等）冲击了内存市场。

2022 年全年结果如下：DRAM 和 NAND 收入（合计占整个内存市场的 96%）分别下降至约 797亿美元 (-15% YoY) 和约587亿美元 (-12% YoY);。而NOR 闪存同比下降 8% 至32亿美元。

减产使供应商能够在 2023 年底前达到市场平衡。然而，迄今为止造成的财务损失巨大， 供应商再次增加投资之前需要比平时更长的恢复时间。因此，2024 年和 2025 年将出现供应不足和价格攀升的情况，收入预计将飙升：继 2023 年 DRAM 下降至420亿美元（同比 -47%）和 NAND 下降至370亿美元（同比 -37%）之后，合计收入将大幅增长。预计到 2025 年，存储器收入将增长至超过2000亿美元的新纪录高位。

芯片封装清洗：

合明科技研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

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