晶圆清洗工艺之RCA清洗

晶圆清洗工艺的目的是在不改变或损坏晶圆表面或衬底的情况下去除化学和颗粒杂质（下图）。晶圆清洗是为了预扩散清洗，即使其表面不受金属、颗粒和有机物的污染。金属离子清洗，即去除对半导体器件运行有不利影响的金属离子；颗粒清洗指的是使用化学或机械擦洗去除表面的颗粒，使用兆速清洗和蚀刻后清洗去除蚀刻过程后留下的光阻和聚合物。接下来小编针对硅晶圆清洗的不同程序，对RCA清洗给大家做个简要介绍，希望能对您有所帮助！

晶圆清洗工艺 RCA清洗

RCA清洗是用于去除硅晶圆中有机物、金属和碱性离子的“标准工艺”。这里使用超声震荡来去除颗粒。RCA是美国无线电公司的英文简称，供职于此的Kern和Puotinen于1965年发明了奠定现代半导体清洗工艺的SC1和SC2，就是一号标准清洗液和二号标准清洗液，也有人称之为APM和HPM。

图2讨论了RCA清洗方法。第一步，硫酸与双氧水的比例为1:1至4:1。在该溶液中浸泡10分钟，温度为120-150℃。该过程被称为Pirhana清洗，也有人称之为SPM；之后将晶圆浸入稀释氢氟酸（DHF）溶液中1分钟，氢氟酸和水的比例为1:10至1:50；最后在室温下用去离子水冲洗一定时间。RCA清洗工艺中还包括SC-1和SC-2两种方法。每一步都要用去离子水冲洗硅晶圆，以达到完美的清洗效果。

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