晶圆清洗工艺之SC清洗

晶圆清洗工艺的目的是在不改变或损坏晶圆表面或衬底的情况下去除化学和颗粒杂质（下图）。晶圆清洗是为了预扩散清洗，即使其表面不受金属、颗粒和有机物的污染。金属离子清洗，即去除对半导体器件运行有不利影响的金属离子；颗粒清洗指的是使用化学或机械擦洗去除表面的颗粒，使用兆速清洗和蚀刻后清洗去除蚀刻过程后留下的光阻和聚合物。

接下来小编针对硅晶圆清洗的不同程序，对SC清洗给大家做个简单介绍，希望能对您有所帮助！

晶圆 SC清洗

SC清洗包括两个步骤，即SC-1和SC-2。SC-1取氢氧化铵（28%）、过氧化氢（30%）和水，比例为1:1:5，温度为80～90℃。硅晶圆在此溶液中浸泡10分钟，并保持高pH值。该方法氧化有机物（形成二氧化碳、水等），并与金属（比如Au、Ag、Cu、Ni、Zn、Cr等）形成络合物，如Cu(NH3)42+。在此过程中，天然的氧化层缓慢溶解并重新长出新的氧化层，从而去除氧化层上的颗粒。NH4OH的用量较少，因为它能蚀刻Si，使其表面粗糙。

SC-2取盐酸（73%）、过氧化氢（73%）和水，比例为1:1:6，温度为80～90℃。硅晶圆在此溶液中浸泡10分钟，并保持低pH值。该方法用于去除碱离子和Al3+、Fe3+、Mg2+等在SC-1等碱性溶液中形成的不溶性氢氧化物的阳离子。这些金属会在SC-1溶液中沉淀到晶圆表面，而在SC2溶液中则形成可溶性配合物。SC-2还能完全去除SC-1步骤无法完全去除的金属污染物，如Au。

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